GVD1202-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(30V)= 3.4, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.4, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1202-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, common cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(30V)= 3.4, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.4, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1203-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(30V)= 3.5, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.5, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1203-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, common cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(30V)= 3.5, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.5, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1204-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(30V)= 3.5, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.5, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1204-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, common cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(30V)= 3.5, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.5, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1205-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(30V)= 3.7, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.7, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1205-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, common cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(30V)= 3.7, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.7, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1207-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(30V)= 3.8, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.8, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1207-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, common cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(30V)= 3.8, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.8, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1208-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(30V)= 3.9, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.9, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1208-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, common cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(30V)= 3.9, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.9, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1209-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(30V)= 3.9, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.9, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1209-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, common cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(30V)= 3.9, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(30В)= 3.9, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1210-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 5.6 pF, C(0V)/С(30V)= 4.0, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 5.6 пФ, C(0В)/С(30В)= 4.0, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1210-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, common cathode, C(4V)= 5.6 pF, C(0V)/С(30V)= 4.0, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 5.6 пФ, C(0В)/С(30В)= 4.0, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1211-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 6.8 pF, C(0V)/С(30V)= 4.0, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 6.8 пФ, C(0В)/С(30В)= 4.0, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1212-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 8.2 pF, C(0V)/С(30V)= 4.0, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 8.2 пФ, C(0В)/С(30В)= 4.0, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1213-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 10.0 pF, C(0V)/С(30V)= 4.1, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 10.0 пФ, C(0В)/С(30В)= 4.1, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1214-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 12.0 pF, C(0V)/С(30V)= 4.1, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 12.0 пФ, C(0В)/С(30В)= 4.1, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1215-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 15.0 pF, C(0V)/С(30V)= 4.2, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1250/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 15.0 пФ, C(0В)/С(30В)= 4.2, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1250 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1216-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 18.0 pF, C(0V)/С(30V)= 4.2, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 18.0 пФ, C(0В)/С(30В)= 4.2, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1217-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, high Q abrupt, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 22.0 pF, C(0V)/С(30V)= 4.2, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 850/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 18.0 пФ, C(0В)/С(30В)= 4.2, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 850 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1401-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(2V)= 46.0-68.0 pF, C(7V)= 6.1 pF, C(10V)= 4.2-5.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 2 V)= 75/10 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(2В)= 46.0-68.0 пФ, C(7В)= 6.1 пФ, C(10В)= 4.2-5.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 2В)= 75 на 10 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD1404-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(2V)= 100.0-150.0 pF, C(7V)= 13.0 pF, C(10V)= 8.6-10.6 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 2 V)= 75/10 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(2В)= 100.0-150.0 пФ, C(7В)= 13.0 пФ, C(10В)= 8.6-10.6 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 2В)= 75 на 10 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20433-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 3.0-3.6 pF, C(1V)/С(3V)= 1.4-1.9, C(1V)/С(6V)= 2.6-3.3, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 3.0-3.6 пФ, C(1В)/С(3В)= 1.4-1.9, C(1В)/С(6В)= 2.6-3.3, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 1В)= 1500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20433-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, common cathode, C(1V)= 3.0-3.6 pF, C(1V)/С(3V)= 1.4-1.9, C(1V)/С(6V)= 2.6-3.3, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 3.0-3.6 пФ, C(1В)/С(3В)= 1.4-1.9, C(1В)/С(6В)= 2.6-3.3, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 1В)= 1500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20434-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 5.85-7.15 pF, C(1V)/С(3V)= 1.6-2.0, C(1V)/С(6V)= 2.8-3.4, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 5.85-7.15 пФ, C(1В)/С(3В)= 1.6-2.0, C(1В)/С(6В)= 2.8-3.4, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 1В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20434-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, common cathode, C(1V)= 5.85-7.15 pF, C(1V)/С(3V)= 1.6-2.0, C(1V)/С(6V)= 2.8-3.4, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 5.85-7.15 пФ, C(1В)/С(3В)= 1.6-2.0, C(1В)/С(6В)= 2.8-3.4, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 1В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20435-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 10.35-12.65 pF, C(1V)/С(3V)= 1.6-2.0, C(1V)/С(6V)= 2.9-3.4, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 10.35-12.65 пФ, C(1В)/С(3В)= 1.6-2.0, C(1В)/С(6В)= 2.9-3.4, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 1В)= 1000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20435-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, common cathode, C(1V)= 10.35-12.65 pF, C(1V)/С(3V)= 1.6-2.0, C(1V)/С(6V)= 2.9-3.4, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 10.35-12.65 пФ, C(1В)/С(3В)= 1.6-2.0, C(1В)/С(6В)= 2.9-3.4, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 1В)= 1000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20436-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 15.50-18.50 pF, C(1V)/С(3V)= 1.6-2.0, C(1V)/С(6V)= 3.0-3.5, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 15.50-18.50 пФ, C(1В)/С(3В)= 1.6-2.0, C(1В)/С(6В)= 3.0-3.5, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 1В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20436-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, common cathode, C(1V)= 15.50-18.50 pF, C(1V)/С(3V)= 1.6-2.0, C(1V)/С(6V)= 3.0-3.5, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz,device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 15.50-18.50 пФ, C(1В)/С(3В)= 1.6-2.0, C(1В)/С(6В)= 3.0-3.5, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 1В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20437-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 45.00-54.00 pF, C(1V)/С(3V)= 1.6-2.0, C(1V)/С(6V)= 3.0-3.5, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 45.00-54.00 пФ, C(1В)/С(3В)= 1.6-2.0, C(1В)/С(6В)= 3.0-3.5, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 1В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20442-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 13.0 пФ, C(2.5В)= 6.5 - 10.0 пФ, C(8В)= 2.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20442-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, common cathode, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 350/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 13.0 пФ, C(2.5В)= 6.5 - 10.0 пФ, C(8В)= 2.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 350 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20443-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 350/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 13.0 пФ, C(2.5В)= 6.5 - 10.0 пФ, C(8В)= 2.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 350 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20443-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, common cathode, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20444-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20444-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, common cathode, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20445-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20445-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20445-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, common cathode, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20446-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20447-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 225/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 225 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20449-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 150/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 150 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20450-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD20450-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, common cathode, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30422-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, microwave hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(0V)= 2.7 pF, C(4.0V)= 1.25 - 1.75 pF, C(20V)= 0.43-0.57 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(0В)= 2.7 пФ, C(4.0В)= 1.25 - 1.75 пФ, C(20В)= 0.43-0.57 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30422-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(3.0V)= 9.5 - 14.5 pF, C(25V)= 1.8-2.8 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(3.0В)= 9.5 - 14.5 пФ, C(25В)= 1.8-2.8 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30422-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, microwave hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, common cathode, C(0V)= 2.7 pF, C(4.0V)= 1.25 - 1.75 pF, C(20V)= 0.43-0.57 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(0В)= 2.7 пФ, C(4.0В)= 1.25 - 1.75 пФ, C(20В)= 0.43-0.57 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30432-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, microwave hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(0V)= 4.2 pF, C(4.0V)= 1.70 - 2.50 pF, C(20V)= 0.52-0.72 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 850/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(0В)= 4.2 пФ, C(4.0В)= 1.70 - 2.50 пФ, C(20В)= 0.52-0.72 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 850 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30432-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(3.0V)= 9.5 - 14.5 pF, C(25V)= 1.8-2.8 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(3.0В)= 9.5 - 14.5 пФ, C(25В)= 1.8-2.8 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30432-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, microwave hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, common cathode, C(0V)= 4.2 pF, C(4.0V)= 1.70 - 2.50 pF, C(20V)= 0.52-0.72 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 850/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(0В)= 4.2 пФ, C(4.0В)= 1.70 - 2.50 пФ, C(20В)= 0.52-0.72 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 850 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30442-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, microwave hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(0V)= 6.3 pF, C(4.0V)= 2.20 - 3.80 pF, C(20V)= 0.68-0.96 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(0В)= 6.3 пФ, C(4.0В)= 2.20 - 3.80 пФ, C(20В)= 0.68-0.96 пФ обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30442-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(3.0V)= 26.0 - 32.0 pF, C(25V)= 4.3-6.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(3.0В)= 26.0 - 32.0 пФ, C(25В)= 4.3-6.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30442-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, microwave hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, common cathode, C(0V)= 6.3 pF, C(4.0V)= 2.20 - 3.80 pF, C(20V)= 0.68-0.96 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(0В)= 6.3 пФ, C(4.0В)= 2.20 - 3.80 пФ, C(20В)= 0.68-0.96 пФ обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30452-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, microwave hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(0V)= 4.2 pF, C(4.0V)= 1.70 - 2.50 pF, C(20V)= 0.52-0.72 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях:C(0В)= 4.2 пФ, C(4.0В)= 1.70 - 2.50 пФ, C(20В)= 0.52-0.72 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30452-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, microwave hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, common cathode, C(0V)= 4.2 pF, C(4.0V)= 1.70 - 2.50 pF, C(20V)= 0.52-0.72 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях:C(0В)= 4.2 пФ, C(4.0В)= 1.70 - 2.50 пФ, C(20В)= 0.52-0.72 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30462-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, microwave hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(0V)= 2.7 pF, C(4.0V)= 1.25 - 1.75 pF, C(20V)= 0.43-0.57 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(0В)= 2.7 пФ, C(4.0В)= 1.25 - 1.75 пФ, C(20В)= 0.43-0.57 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30462-004

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, microwave hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, common cathode, C(0V)= 2.7 pF, C(4.0V)= 1.25 - 1.75 pF, C(20V)= 0.43-0.57 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, общий катод, значения емкости при разных напряжениях: C(0В)= 2.7 пФ, C(4.0В)= 1.25 - 1.75 пФ, C(20В)= 0.43-0.57 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30501-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(3.0V)= 26.0 - 32.0 pF, C(25V)= 4.3-6.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(3.0В)= 26.0 - 32.0 пФ, C(25В)= 4.3-6.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30501-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(3.0V)= 26.0 - 32.0 pF, C(25V)= 4.3-6.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(3.0В)= 26.0 - 32.0 пФ, C(25В)= 4.3-6.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30502-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(3.0V)= 9.5 - 14.5 pF, C(25V)= 1.8-2.8 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(3.0В)= 9.5 - 14.5 пФ, C(25В)= 1.8-2.8 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30503-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(3.0V)= 26.0 - 32.0 pF, C(25V)= 4.3-6.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(3.0В)= 26.0 - 32.0 пФ, C(25В)= 4.3-6.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30504-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(3.0V)= 26.0 - 32.0 pF, C(25V)= 4.3-6.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(3.0В)= 26.0 - 32.0 пФ, C(25В)= 4.3-6.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30601- 001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(4.0V)= 18.00 - 22.0 pF, C(8V)= 45.0-55.0 pF, C(20V)= 2.7-3.5 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 160/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(4.0В)= 18.00 - 22.0 пФ, C(8В)= 45.0-55.0 пФ, C(20В)= 2.7-3.5 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 160 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30602-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(4.0V)= 45.00 - 55.0 pF, C(8V)= 18.0-25.0 pF, C(20V)= 6.6-9.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 125/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(4.0В)= 45.00 - 55.0 пФ, C(8В)= 18.0-25.0 пФ, C(20В)= 6.6-9.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 125 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD30603-001

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, VHF/UHF hyperabrupt series, epitaxial silicon construction, C(4.0V)= 100.00 - 120.0 pF, C(8V)= 39.0-55.0 pF, C(20V)= 14.0-19.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 80/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, значения емкости при разных напряжениях: C(4.0В)= 100.00 - 120.0 пФ, C(8В)= 39.0-55.0 пФ, C(20В)= 14.0-19.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 80 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD60100

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount monolithic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(1V)= 2.6 - 3.8 pF, C(1V)/С(3V)= 1.4 - 2.2, C(1V)/С(6V)= 2.6 - 3.6, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 2.6 - 3.8 пФ, C(1В)/С(3В)= 1.4 - 2.2, C(1В)/С(6В)= 2.6 - 3.6, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD60200

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount monolithic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(0V)= 3.25 pF, C(4V)= 0.9 - 1.5 pF, C(20V)= 0.2 - 0.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1000/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(0В)= 3.25 pF, C(4В)= 0.9 - 1.5 пФ, C(20В)= 0.2 - 0.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1000 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90001-- 011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(4V)= 12.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(4В)= 12.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90001-- 012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(4V)= 12.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(4В)= 12.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90001-- 013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(4V)= 12.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(4В)= 12.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90001-- 014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(4V)= 12.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(4В)= 12.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90001-- 015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(4V)= 12.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(4В)= 12.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90001-- 111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(4V)= 12.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(4В)= 12.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90001-- 112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(4V)= 12.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(4В)= 12.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90001-- 113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(4V)= 12.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(4В)= 12.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90001-- 114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(4V)= 12.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(4В)= 12.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90001-- 115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 36.0 pF, C(2.5V)= 18.0 - 27.0 pF, C(4V)= 12.0 pF, C(8V)= 6.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 36.0 пФ, C(2.5В)= 18.0 - 27.0 пФ, C(4В)= 12.0 пФ, C(8В)= 6.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90002-- 011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(4V)= 9.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(4В)= 9.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90002-- 012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(4V)= 9.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(4В)= 9.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90002-- 013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(4V)= 9.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(4В)= 9.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90002-- 014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(4V)= 9.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(4В)= 9.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90002-- 015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(4V)= 9.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(4В)= 9.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90002-- 111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(4V)= 9.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(4В)= 9.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90002-- 112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(4V)= 9.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(4В)= 9.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90002-- 113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(4V)= 9.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(4В)= 9.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90002-- 114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(4V)= 9.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(4В)= 9.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90002-- 115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 26.0 pF, C(2.5V)= 13.0 - 20.0 pF, C(4V)= 9.0 pF, C(8V)= 4.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 26.0 пФ, C(2.5В)= 13.0 - 20.0 пФ, C(4В)= 9.0 пФ, C(8В)= 4.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90003-- 011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(4V)= 6.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90003-- 012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(4V)= 6.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90003-- 013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(4V)= 6.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90003-- 014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(4V)= 6.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90003-- 015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(4V)= 6.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90003-- 111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(4V)= 6.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90003-- 112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(4V)= 6.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90003-- 113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(4V)= 6.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90003-- 114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(4V)= 6.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90003-- 115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 17.0 pF, C(2.5V)= 8.5 - 13.0 pF, C(4V)= 6.0 pF, C(8V)= 3.2 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90004-- 011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(4V)= 4.5 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90004-- 012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(4V)= 4.5 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90004-- 013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(4V)= 4.5 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90004-- 014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(4V)= 4.5 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90004-- 015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(4V)= 4.5 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90004-- 111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(4V)= 4.5 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90004-- 112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(4V)= 4.5 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90004-- 113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(4V)= 4.5 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90004-- 114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(4V)= 4.5 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90004-- 115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 13.0 pF, C(2.5V)= 6.5 - 10.0 pF, C(4V)= 4.5 pF, C(8V)= 2.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 750/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 17.0 пФ, C(2.5В)= 8.5 - 13.0 пФ, C(4В)= 6.0 пФ, C(8В)= 3.2 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 750 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90005-- 011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, C(8V)= 1.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, C(8В)= 1.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90005-- 012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, C(8V)= 1.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, C(8В)= 1.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90005-- 013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, C(8V)= 1.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, C(8В)= 1.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90005-- 014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, C(8V)= 1.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, C(8В)= 1.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90005-- 015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, C(8V)= 1.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, C(8В)= 1.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90005-- 111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, C(8V)= 1.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, C(8В)= 1.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90005-- 112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, C(8V)= 1.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, C(8В)= 1.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90005-- 113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, C(8V)= 1.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, C(8В)= 1.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90005-- 114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, C(8V)= 1.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, C(8В)= 1.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90005-- 115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 9.0 pF, C(2.5V)= 4.5 - 6.5 pF, C(4V)= 3.0 pF, C(8V)= 1.7 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 9.0 пФ, C(2.5В)= 4.5 - 6.5 пФ, C(4В)= 3.0 пФ, C(8В)= 1.7 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90006-- 011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 4.0 pF, C(2.5V)= 2.0 - 3.0 pF, C(4V)= 1.5 pF, C(8V)= 1.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 4.0 пФ, C(2.5В)= 2.0 - 3.0 пФ, C(4В)= 1.5 пФ, C(8В)= 1.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90006-- 012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 4.0 pF, C(2.5V)= 2.0 - 3.0 pF, C(4V)= 1.5 pF, C(8V)= 1.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 4.0 пФ, C(2.5В)= 2.0 - 3.0 пФ, C(4В)= 1.5 пФ, C(8В)= 1.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90006-- 013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 4.0 pF, C(2.5V)= 2.0 - 3.0 pF, C(4V)= 1.5 pF, C(8V)= 1.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 4.0 пФ, C(2.5В)= 2.0 - 3.0 пФ, C(4В)= 1.5 пФ, C(8В)= 1.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90006-- 014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 4.0 pF, C(2.5V)= 2.0 - 3.0 pF, C(4V)= 1.5 pF, C(8V)= 1.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 4.0 пФ, C(2.5В)= 2.0 - 3.0 пФ, C(4В)= 1.5 пФ, C(8В)= 1.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90006-- 015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 4.0 pF, C(2.5V)= 2.0 - 3.0 pF, C(4V)= 1.5 pF, C(8V)= 1.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 4.0 пФ, C(2.5В)= 2.0 - 3.0 пФ, C(4В)= 1.5 пФ, C(8В)= 1.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90006-- 111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 4.0 pF, C(2.5V)= 2.0 - 3.0 pF, C(4V)= 1.5 pF, C(8V)= 1.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 4.0 пФ, C(2.5В)= 2.0 - 3.0 пФ, C(4В)= 1.5 пФ, C(8В)= 1.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90006-- 112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 4.0 pF, C(2.5V)= 2.0 - 3.0 pF, C(4V)= 1.5 pF, C(8V)= 1.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 4.0 пФ, C(2.5В)= 2.0 - 3.0 пФ, C(4В)= 1.5 пФ, C(8В)= 1.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90006-- 113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 4.0 pF, C(2.5V)= 2.0 - 3.0 pF, C(4V)= 1.5 pF, C(8V)= 1.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 4.0 пФ, C(2.5В)= 2.0 - 3.0 пФ, C(4В)= 1.5 пФ, C(8В)= 1.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90006-- 114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 4.0 pF, C(2.5V)= 2.0 - 3.0 pF, C(4V)= 1.5 pF, C(8V)= 1.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 4.0 пФ, C(2.5В)= 2.0 - 3.0 пФ, C(4В)= 1.5 пФ, C(8В)= 1.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90006-- 115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 4.0 pF, C(2.5V)= 2.0 - 3.0 pF, C(4V)= 1.5 pF, C(8V)= 1.0 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1200/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 4.0 пФ, C(2.5В)= 2.0 - 3.0 пФ, C(4В)= 1.5 пФ, C(8В)= 1.0 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1200 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90007-- 011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.8 pF, C(2.5V)= 1.1 - 1.5 pF, C(4V)= 0.8 pF, C(8V)= 0.55 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.8 пФ, C(2.5В)= 1.1 - 1.5 пФ, C(4В)= 0.8 пФ, C(8В)= 0.55 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90007-- 012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.8 pF, C(2.5V)= 1.1 - 1.5 pF, C(4V)= 0.8 pF, C(8V)= 0.55 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.8 пФ, C(2.5В)= 1.1 - 1.5 пФ, C(4В)= 0.8 пФ, C(8В)= 0.55 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90007-- 013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.8 pF, C(2.5V)= 1.1 - 1.5 pF, C(4V)= 0.8 pF, C(8V)= 0.55 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.8 пФ, C(2.5В)= 1.1 - 1.5 пФ, C(4В)= 0.8 пФ, C(8В)= 0.55 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90007-- 014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.8 pF, C(2.5V)= 1.1 - 1.5 pF, C(4V)= 0.8 pF, C(8V)= 0.55 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.8 пФ, C(2.5В)= 1.1 - 1.5 пФ, C(4В)= 0.8 пФ, C(8В)= 0.55 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90007-- 015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.8 pF, C(2.5V)= 1.1 - 1.5 pF, C(4V)= 0.8 pF, C(8V)= 0.55 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.8 пФ, C(2.5В)= 1.1 - 1.5 пФ, C(4В)= 0.8 пФ, C(8В)= 0.55 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90007-- 111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.8 pF, C(2.5V)= 1.1 - 1.5 pF, C(4V)= 0.8 pF, C(8V)= 0.55 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.8 пФ, C(2.5В)= 1.1 - 1.5 пФ, C(4В)= 0.8 пФ, C(8В)= 0.55 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90007-- 112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.8 pF, C(2.5V)= 1.1 - 1.5 pF, C(4V)= 0.8 pF, C(8V)= 0.55 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.8 пФ, C(2.5В)= 1.1 - 1.5 пФ, C(4В)= 0.8 пФ, C(8В)= 0.55 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90007-- 113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.8 pF, C(2.5V)= 1.1 - 1.5 pF, C(4V)= 0.8 pF, C(8V)= 0.55 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.8 пФ, C(2.5В)= 1.1 - 1.5 пФ, C(4В)= 0.8 пФ, C(8В)= 0.55 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90007-- 114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.8 pF, C(2.5V)= 1.1 - 1.5 pF, C(4V)= 0.8 pF, C(8V)= 0.55 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.8 пФ, C(2.5В)= 1.1 - 1.5 пФ, C(4В)= 0.8 пФ, C(8В)= 0.55 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90007-- 115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.8 pF, C(2.5V)= 1.1 - 1.5 pF, C(4V)= 0.8 pF, C(8V)= 0.55 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.8 пФ, C(2.5В)= 1.1 - 1.5 пФ, C(4В)= 0.8 пФ, C(8В)= 0.55 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90008-- 011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.2 pF, C(2.5V)= 0.8 - 1.1 pF, C(4V)= 0.6 pF, C(8V)= 0.45 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.2 пФ, C(2.5В)= 0.8 - 1.1 пФ, C(4В)= 0.6 пФ, C(8В)= 0.45 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90008-- 012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.2 pF, C(2.5V)= 0.8 - 1.1 pF, C(4V)= 0.6 pF, C(8V)= 0.45 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.2 пФ, C(2.5В)= 0.8 - 1.1 пФ, C(4В)= 0.6 пФ, C(8В)= 0.45 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90008-- 013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.2 pF, C(2.5V)= 0.8 - 1.1 pF, C(4V)= 0.6 pF, C(8V)= 0.45 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.2 пФ, C(2.5В)= 0.8 - 1.1 пФ, C(4В)= 0.6 пФ, C(8В)= 0.45 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90008-- 014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.2 pF, C(2.5V)= 0.8 - 1.1 pF, C(4V)= 0.6 pF, C(8V)= 0.45 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.2 пФ, C(2.5В)= 0.8 - 1.1 пФ, C(4В)= 0.6 пФ, C(8В)= 0.45 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90008-- 015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.2 pF, C(2.5V)= 0.8 - 1.1 pF, C(4V)= 0.6 pF, C(8V)= 0.45 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.2 пФ, C(2.5В)= 0.8 - 1.1 пФ, C(4В)= 0.6 пФ, C(8В)= 0.45 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90008-- 111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.2 pF, C(2.5V)= 0.8 - 1.1 pF, C(4V)= 0.6 pF, C(8V)= 0.45 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.2 пФ, C(2.5В)= 0.8 - 1.1 пФ, C(4В)= 0.6 пФ, C(8В)= 0.45 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90008-- 112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.2 pF, C(2.5V)= 0.8 - 1.1 pF, C(4V)= 0.6 pF, C(8V)= 0.45 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.2 пФ, C(2.5В)= 0.8 - 1.1 пФ, C(4В)= 0.6 пФ, C(8В)= 0.45 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90008-- 113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.2 pF, C(2.5V)= 0.8 - 1.1 pF, C(4V)= 0.6 pF, C(8V)= 0.45 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.2 пФ, C(2.5В)= 0.8 - 1.1 пФ, C(4В)= 0.6 пФ, C(8В)= 0.45 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90008-- 114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.2 pF, C(2.5V)= 0.8 - 1.1 pF, C(4V)= 0.6 pF, C(8V)= 0.45 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.2 пФ, C(2.5В)= 0.8 - 1.1 пФ, C(4В)= 0.6 пФ, C(8В)= 0.45 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90008-- 115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 1.2 pF, C(2.5V)= 0.8 - 1.1 pF, C(4V)= 0.6 pF, C(8V)= 0.45 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 1.2 пФ, C(2.5В)= 0.8 - 1.1 пФ, C(4В)= 0.6 пФ, C(8В)= 0.45 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90009-- 011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 0.6 pF, C(2.5V)= 0.5 - 0.8 pF, C(4V)= 0.4 pF, C(8V)= 0.35 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 0.6 пФ, C(2.5В)= 0.5 - 0.8 пФ, C(4В)= 0.4 пФ, C(8В)= 0.35 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90009-- 012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 0.6 pF, C(2.5V)= 0.5 - 0.8 pF, C(4V)= 0.4 pF, C(8V)= 0.35 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 0.6 пФ, C(2.5В)= 0.5 - 0.8 пФ, C(4В)= 0.4 пФ, C(8В)= 0.35 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90009-- 013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 0.6 pF, C(2.5V)= 0.5 - 0.8 pF, C(4V)= 0.4 pF, C(8V)= 0.35 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 0.6 пФ, C(2.5В)= 0.5 - 0.8 пФ, C(4В)= 0.4 пФ, C(8В)= 0.35 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90009-- 014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 0.6 pF, C(2.5V)= 0.5 - 0.8 pF, C(4V)= 0.4 pF, C(8V)= 0.35 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 0.6 пФ, C(2.5В)= 0.5 - 0.8 пФ, C(4В)= 0.4 пФ, C(8В)= 0.35 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90009-- 015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 0.6 pF, C(2.5V)= 0.5 - 0.8 pF, C(4V)= 0.4 pF, C(8V)= 0.35 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 0.6 пФ, C(2.5В)= 0.5 - 0.8 пФ, C(4В)= 0.4 пФ, C(8В)= 0.35 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90009-- 111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 0.6 pF, C(2.5V)= 0.5 - 0.8 pF, C(4V)= 0.4 pF, C(8V)= 0.35 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 0.6 пФ, C(2.5В)= 0.5 - 0.8 пФ, C(4В)= 0.4 пФ, C(8В)= 0.35 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90009-- 112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 0.6 pF, C(2.5V)= 0.5 - 0.8 pF, C(4V)= 0.4 pF, C(8V)= 0.35 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 0.6 пФ, C(2.5В)= 0.5 - 0.8 пФ, C(4В)= 0.4 пФ, C(8В)= 0.35 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90009-- 113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 0.6 pF, C(2.5V)= 0.5 - 0.8 pF, C(4V)= 0.4 pF, C(8V)= 0.35 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 0.6 пФ, C(2.5В)= 0.5 - 0.8 пФ, C(4В)= 0.4 пФ, C(8В)= 0.35 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90009-- 114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 0.6 pF, C(2.5V)= 0.5 - 0.8 pF, C(4V)= 0.4 pF, C(8V)= 0.35 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 0.6 пФ, C(2.5В)= 0.5 - 0.8 пФ, C(4В)= 0.4 пФ, C(8В)= 0.35 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD90009-- 115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, epitaxial silicon, silicon dioxide passivated, surface mount low parasitic package, C(1V)= 0.6 pF, C(2.5V)= 0.5 - 0.8 pF, C(4V)= 0.4 pF, C(8V)= 0.35 pF, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 1800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, диоксид кремния, значения емкости при разных напряжениях: C(1В)= 0.6 пФ, C(2.5В)= 0.5 - 0.8 пФ, C(4В)= 0.4 пФ, C(8В)= 0.35 пФ, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 1800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91300-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 0.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.5, C(4V)/С(30V)= 1.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 0.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.5, C(4В)/С(30В)= 1.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91300-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 0.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.5, C(4V)/С(30V)= 1.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 0.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.5, C(4В)/С(30В)= 1.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91300-013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 0.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.5, C(4V)/С(30V)= 1.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 0.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.5, C(4В)/С(30В)= 1.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91300-014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 0.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.5, C(4V)/С(30V)= 1.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 0.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.5, C(4В)/С(30В)= 1.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91300-015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 0.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.5, C(4V)/С(30V)= 1.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 0.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.5, C(4В)/С(30В)= 1.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91300-111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 0.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.5, C(4V)/С(30V)= 1.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 0.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.5, C(4В)/С(30В)= 1.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91300-112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 0.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.5, C(4V)/С(30V)= 1.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 0.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.5, C(4В)/С(30В)= 1.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91300-113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 0.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.5, C(4V)/С(30V)= 1.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 0.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.5, C(4В)/С(30В)= 1.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91300-114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 0.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.5, C(4V)/С(30V)= 1.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 0.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.5, C(4В)/С(30В)= 1.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91300-115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 0.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.5, C(4V)/С(30V)= 1.45, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3900/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 0.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.5, C(4В)/С(30В)= 1.45, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3900 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91301-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.0 pF, C(0V)/С(4V)= 1.6, C(4V)/С(30V)= 1.55, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.0 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.6, C(4В)/С(30В)= 1.55, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91301-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.0 pF, C(0V)/С(4V)= 1.6, C(4V)/С(30V)= 1.55, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.0 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.6, C(4В)/С(30В)= 1.55, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91301-013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.0 pF, C(0V)/С(4V)= 1.6, C(4V)/С(30V)= 1.55, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.0 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.6, C(4В)/С(30В)= 1.55, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91301-014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.0 pF, C(0V)/С(4V)= 1.6, C(4V)/С(30V)= 1.55, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.0 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.6, C(4В)/С(30В)= 1.55, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91301-015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.0 pF, C(0V)/С(4V)= 1.6, C(4V)/С(30V)= 1.55, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.0 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.6, C(4В)/С(30В)= 1.55, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91301-111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.0 pF, C(0V)/С(4V)= 1.6, C(4V)/С(30V)= 1.55, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.0 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.6, C(4В)/С(30В)= 1.55, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91301-112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.0 pF, C(0V)/С(4V)= 1.6, C(4V)/С(30V)= 1.55, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.0 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.6, C(4В)/С(30В)= 1.55, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91301-113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.0 pF, C(0V)/С(4V)= 1.6, C(4V)/С(30V)= 1.55, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.0 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.6, C(4В)/С(30В)= 1.55, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91301-114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.0 pF, C(0V)/С(4V)= 1.6, C(4V)/С(30V)= 1.55, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.0 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.6, C(4В)/С(30В)= 1.55, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91301-115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.0 pF, C(0V)/С(4V)= 1.6, C(4V)/С(30V)= 1.55, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3800/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.0 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.6, C(4В)/С(30В)= 1.55, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3800 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91302-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(4V)= 1.7, C(4V)/С(30V)= 1.60, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.7, C(4В)/С(30В)= 1.60, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91302-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(4V)= 1.7, C(4V)/С(30V)= 1.60, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.7, C(4В)/С(30В)= 1.60, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91302-013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(4V)= 1.7, C(4V)/С(30V)= 1.60, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.7, C(4В)/С(30В)= 1.60, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91302-014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(4V)= 1.7, C(4V)/С(30V)= 1.60, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.7, C(4В)/С(30В)= 1.60, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91302-015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(4V)= 1.7, C(4V)/С(30V)= 1.60, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.7, C(4В)/С(30В)= 1.60, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91302-111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(4V)= 1.7, C(4V)/С(30V)= 1.60, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.7, C(4В)/С(30В)= 1.60, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91302-112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(4V)= 1.7, C(4V)/С(30V)= 1.60, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.7, C(4В)/С(30В)= 1.60, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91302-113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(4V)= 1.7, C(4V)/С(30V)= 1.60, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.7, C(4В)/С(30В)= 1.60, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91302-114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(4V)= 1.7, C(4V)/С(30V)= 1.60, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.7, C(4В)/С(30В)= 1.60, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91302-115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.2 pF, C(0V)/С(4V)= 1.7, C(4V)/С(30V)= 1.60, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.7, C(4В)/С(30В)= 1.60, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91303-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(4V)= 1.8, C(4V)/С(30V)= 1.65, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.8, C(4В)/С(30В)= 1.65, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91303-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(4V)= 1.8, C(4V)/С(30V)= 1.65, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.8, C(4В)/С(30В)= 1.65, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91303-013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(4V)= 1.8, C(4V)/С(30V)= 1.65, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.8, C(4В)/С(30В)= 1.65, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91303-014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(4V)= 1.8, C(4V)/С(30V)= 1.65, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.8, C(4В)/С(30В)= 1.65, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91303-015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(4V)= 1.8, C(4V)/С(30V)= 1.65, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.8, C(4В)/С(30В)= 1.65, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91303-111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(4V)= 1.8, C(4V)/С(30V)= 1.65, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.8, C(4В)/С(30В)= 1.65, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91303-112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(4V)= 1.8, C(4V)/С(30V)= 1.65, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.8, C(4В)/С(30В)= 1.65, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91303-113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(4V)= 1.8, C(4V)/С(30V)= 1.65, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.8, C(4В)/С(30В)= 1.65, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91303-114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(4V)= 1.8, C(4V)/С(30V)= 1.65, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.8, C(4В)/С(30В)= 1.65, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91303-115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.5 pF, C(0V)/С(4V)= 1.8, C(4V)/С(30V)= 1.65, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.5 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.8, C(4В)/С(30В)= 1.65, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91304-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.9, C(4V)/С(30V)= 1.70, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.9, C(4В)/С(30В)= 1.70, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91304-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.9, C(4V)/С(30V)= 1.70, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.9, C(4В)/С(30В)= 1.70, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91304-013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.9, C(4V)/С(30V)= 1.70, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.9, C(4В)/С(30В)= 1.70, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91304-014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.9, C(4V)/С(30V)= 1.70, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.9, C(4В)/С(30В)= 1.70, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91304-015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.9, C(4V)/С(30V)= 1.70, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.9, C(4В)/С(30В)= 1.70, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91304-111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.9, C(4V)/С(30V)= 1.70, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.9, C(4В)/С(30В)= 1.70, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91304-112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.9, C(4V)/С(30V)= 1.70, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.9, C(4В)/С(30В)= 1.70, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91304-113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.9, C(4V)/С(30V)= 1.70, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.9, C(4В)/С(30В)= 1.70, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91304-114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.9, C(4V)/С(30V)= 1.70, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.9, C(4В)/С(30В)= 1.70, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91304-115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 1.8 pF, C(0V)/С(4V)= 1.9, C(4V)/С(30V)= 1.70, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 1.8 пФ, C(0В)/С(4В)= 1.9, C(4В)/С(30В)= 1.70, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91305-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.75, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.75, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91305-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.75, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.75, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91305-013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.75, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.75, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91305-014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.75, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.75, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91305-015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.75, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.75, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91305-111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.75, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.75, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91305-112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.75, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.75, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91305-113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.75, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.75, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91305-114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.75, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.75, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91305-115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.2 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.75, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3400/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.2 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.75, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3400 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91306-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.80, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.80, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91306-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.80, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.80, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91306-013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.80, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.80, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91306-014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.80, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.80, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91306-015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.80, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.80, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91306-111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.80, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.80, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91306-112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.80, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.80, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91306-113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.80, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.80, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91306-114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.80, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.80, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91306-115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 2.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.0, C(4V)/С(30V)= 1.80, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3300/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 2.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.0, C(4В)/С(30В)= 1.80, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3300 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91307-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.85, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3100/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.85, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3100 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91307-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.85, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3100/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.85, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3100 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91307-013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.85, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3100/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.85, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3100 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91307-014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.85, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3100/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.85, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3100 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91307-015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.85, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3100/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.85, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3100 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91307-111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.85, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3100/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.85, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3100 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91307-112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.85, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3100/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.85, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3100 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91307-113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.85, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3100/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.85, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3100 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91307-114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.85, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3100/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.85, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3100 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91307-115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.3 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.85, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 3100/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.3 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.85, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 3100 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91308-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.90, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.90, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91308-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.90, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.90, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91308-013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.90, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.90, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91308-014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.90, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.90, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91308-015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.90, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.90, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91308-111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.90, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.90, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91308-112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.90, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.90, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91308-113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.90, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.90, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91308-114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.90, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.90, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91308-115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 3.9 pF, C(0V)/С(4V)= 2.1, C(4V)/С(30V)= 1.90, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2700/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 3.9 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.1, C(4В)/С(30В)= 1.90, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2700 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91309-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 1.95, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 1.95, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91309-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 1.95, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 1.95, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91309-013

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 1.95, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 1.95, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91309-014

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 1.95, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 1.95, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91309-015

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 1.95, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 1.95, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91309-111

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 1.95, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 1.95, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91309-112

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 1.95, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 1.95, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91309-113

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 1.95, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 1.95, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91309-114

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 1.95, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 1.95, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91309-115

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 4.7 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 1.95, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2600/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 4.7 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 1.95, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2600 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91310-011

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод

Varactord diod, tuning, silicon dioxide, surface mount low parasitic package, epitaxial silicon construction, single cathode, C(4V)= 5.6 pF, C(0V)/С(4V)= 2.2, C(4V)/С(30V)= 2.0, reverse breakdown voltage= 12 V, Q(min - 4 V)= 2500/50 MHz, device dissipation at 25°C: 250 mW, Topr = -55°C to +125°C

Варакторный диод, подстроечный, диоксид кремния, диэлектрический, эпитаксиальный кремний, один катод, значения емкости при разных напряжениях: C(4В)= 5.6 пФ, C(0В)/С(4В)= 2.2, C(4В)/С(30В)= 2.0, обратное напряжение пробоя= 12 В, добротность(мин - 4В)= 2500 на 50 МГц, рассеивание: 250 мВ на 25°C, диапазон рабочих температур -55°C to +125°C

Ссылка

Добавить в запрос

GVD91310-012

Sprague-Goodman Electronics, Inc.

Диод